壓電部門專注于精密定位執(zhí)行器的研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售；是國(guó)內(nèi)壓電領(lǐng)域極少數(shù)擁有從壓電陶瓷材料到壓電陶瓷電機(jī)再到納米精度壓電運(yùn)動(dòng)臺(tái)全產(chǎn)品鏈研發(fā)與批量生產(chǎn)能力的高科技企業(yè)。
隱冠打造精密運(yùn)動(dòng)臺(tái)、特種電機(jī)、壓電產(chǎn)品和關(guān)鍵零部件四大產(chǎn)品線，配備先進(jìn)的精密運(yùn)動(dòng)控制測(cè)試平臺(tái)和一批專用工具，具備良好的生產(chǎn)測(cè)試條件。
隱冠半導(dǎo)體成立于2019年，是一家專注半導(dǎo)體制造、量檢測(cè)和先進(jìn)封裝裝備精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)及核心部件研發(fā)與生產(chǎn)的高科技創(chuàng)新型企業(yè)。
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公司以客戶需求為導(dǎo)向、快速反應(yīng)為特點(diǎn)。專業(yè)化定制、全生命周期服務(wù)是公司秉承的發(fā)展理念。
隱冠讓運(yùn)動(dòng)更精密，讓精密更穩(wěn)定。
套刻誤差的定義是兩層圖形結(jié)構(gòu)中心之間的平面距離。隨著集成電路的層數(shù)不斷增多，多重圖形和多重曝光的光刻工藝被廣泛應(yīng)用，不同步驟形成的電路圖形之間的套刻精度愈發(fā)重要。套刻誤差過大形成的錯(cuò)位，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)電路失效報(bào)廢。套刻誤差測(cè)量設(shè)備，用于確保不同層級(jí)電路圖形，和同一層電路圖形的正確對(duì)齊和放置。套刻誤差測(cè)量通常在每道光刻步驟后進(jìn)行。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝越來越復(fù)雜，尤其是5nm工藝的逐步成熟完善，3nm工藝不斷突破的情況下，芯片電路單元的尺寸越小，芯片生產(chǎn)過程中就越容易出現(xiàn)各種缺陷。一般來說，根據(jù)電子系統(tǒng)檢測(cè)中的“十倍法則”，在基材層面發(fā)現(xiàn)的故障傳導(dǎo)到芯片級(jí)別會(huì)造成成本十倍的增加，所以缺陷檢測(cè)系統(tǒng)在半導(dǎo)體行業(yè)極其重要。
電子束晶圓檢測(cè)，是掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的應(yīng)用。其使用高能電子與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生相互作用時(shí)所激發(fā)出的信息進(jìn)行成像。然后再通過圖像處理和運(yùn)算來實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓缺陷、關(guān)鍵尺寸等進(jìn)行檢測(cè)的目的。
